Wie verhält sich die Verarmungszone in der hier dargestellten Halbleiterdiode?

Erklärung

Die angelegte Polarität sperrt den p-n-Übergang: Die beweglichen Mehrheitsträger werden von der Grenzfläche weggezogen, sodass die ladungsträgerarme Zone breiter wird. Eine Verengung träte bei Vorwärtspolung auf, weil dann Ladungsträger zur Grenzfläche gedrückt würden.