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Question 18

Das folgende Bild zeigt den prinzipiellen Aufbau einer Halbleiterdiode. Wie entsteht die Sperrschicht?

Technische Skizze zur amtlichen Frage AB108: Querschnitt einer Halbleiterdiode mit P-Bereich links, N-Bereich rechts und grau markierter Verarmungszone in der Mitte; darunter ein Diodenschaltzeichen.
  1. An der Grenzschicht wandern Elektronen aus dem N-Teil in den P-Teil. Dadurch wird auf der N-Seite der Elektronenüberschuss teilweise abgebaut, auf der P-Seite der Elektronenmangel teilweise neutralisiert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine isolierende Schicht.Bonne réponse
  2. An der Grenzschicht wandern Elektronen aus dem P-Teil in den N-Teil. Dadurch wird auf der P-Seite der Elektronenüberschuss teilweise abgebaut, auf der N-Seite der Elektronenmangel teilweise neutralisiert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine isolierende Schicht.
  3. An der Grenzschicht wandern Atome aus dem P-Teil in den N-Teil. Dadurch wird auf der P-Seite der Atommangel abgebaut, auf der N-Seite der Atommangel vergrößert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine leitende Schicht.
  4. An der Grenzschicht wandern Atome aus dem N-Teil in den P-Teil. Dadurch wird auf der N-Seite der Atommangel abgebaut, auf der P-Seite der Atommangel vergrößert. Es bildet sich auf beiden Seiten der Grenzfläche eine leitende Schicht.

Explication

Elektronen diffundieren wegen ihres Konzentrationsgefälles aus dem n-dotierten in den p-dotierten Bereich und rekombinieren dort mit Löchern; zurückbleibende ortsfeste Ionen erzeugen das innere Feld der Sperrschicht. Eine Wanderung ganzer Atome bildet diesen Übergang nicht, denn das Kristallgitter bleibt bestehen und nur bewegliche Ladungsträger diffundieren.

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